レーザ熱加工用の熱誘導位相切替

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：布施行夫 , 井上一 , 大渕美千栄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-527866
公開番号（公開出願番号）：特表2004-509472
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

熱誘導位相切替層60を使用して、走査ビーム(B)の形状であってもよい放射パルス10の暴露から、ワークピース(W)の加工領域30に伝わる熱の量を制御する方法、装置および、システム。本発明の装置は、シリコンウェハなどのワークピースの上に堆積された吸収層50を有するフィルムスタック6である。吸収層の一部は加工領域をカバーする。吸収層は放射を吸収し、吸収された放射を熱に変換する。位相切替層は吸収層の上または下に堆積される。位相切替層は、1層または複数層の薄膜層を含み、断熱層と位相遷移層を含んでいてもよい。これらは密接に隣接しているので、位相切替層のうち加工領域をカバーする部分は、加工領域の温度に近い温度を有する。位相切替層の位相は、位相遷移温度(TP)で第1の位相(例えば固体)から第2の位相(例えば液体または気体)に変化する。この位相変化の間、位相切替層は熱を吸収するが、大幅に温度を変えることはない。このため、吸収層と加工領域は位相変化層に近いため、吸収層の温度と加工領域の温度とが限定される。

請求項（抜粋）：

ワークピースの加工領域において、放射パルスに暴露されることから生じる最高温度を制御する熱誘導位相切替装置であって、 a)前記ワークピースの上に形成され、一部が前記加工領域をカバーし、放射線を吸収し、前記吸収した放射線を熱に変換する吸収層と、 b)前記吸収層に隣接して形成されるか密接して形成された位相切替層であって、前記位相切替層のうち前記加工領域をカバーする一部が、前記加工領域の望ましい最高温度に相当する位相変化温度を有し、位相遷移温度で位相が第1の位相から第2の位相に変化することで、前記加工領域における温度の上昇を限定する位相切替層とを備える、位相切替装置。

IPC (2件)：

H01L21/268 , H01L21/265

FI (3件)：

H01L21/268 F , H01L21/268 J , H01L21/265 602C

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平1-077112
特開平1-077112
特開昭59-158515

全件表示

前のページに戻る