特許
J-GLOBAL ID：200903075515676053
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-115044
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298188
出願日： 1996年05月09日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】 ドライエッチング工程の後処理工程を改良して、Al合金配線の腐食や荒れを確実に防止できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板11上に絶縁膜12を介してAl合金膜を形成し、この上にレジストマスク14をパターン形成し、ドライエッチングによりAl合金膜をエッチングして配線層13を形成する。その後レジストマスク14をアッシング除去し、次いで基板上にF系ガスプラズマを用いたパシベーション膜17の形成とそのアッシング除去により、Cl残留物を除去する。その後、純水による洗浄と乾燥、アルカリ性水溶液による洗浄、再度の純水による洗浄を順次行って、レジスト残渣16及びプラズマ重合膜15を除去する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を介してAl合金膜を形成する工程と、前記Al合金膜上にレジストマスクをパターン形成し、ドライエッチングにより前記Al合金膜をエッチングして配線層を形成する工程と、前記レジストマスクを灰化除去する工程と、前記基板上にフッ素系ガスプラズマを用いてパシベーション膜を形成する工程と、前記パシベーション膜を灰化除去する工程と、前記基板を純水で洗浄した後乾燥する工程と、前記基板をアルカリ性水溶液で洗浄した後、再度純水で洗浄する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/28
, H01L 21/304 341
, H01L 21/3213
H01L 21/302 G
, H01L 21/28 E
, H01L 21/304 341 M
, H01L 21/88 C
