特許

J-GLOBAL ID：200903075547766682

炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： 亀井 一人 ,  楠 一彦 ,  矢代 将斉
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-338898
公開番号（公開出願番号）：特開2006-143555
出願日： 2004年11月24日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】 融解したSi合金の溶媒中にSiC(炭化珪素)が溶解した溶液から種結晶基板上にSiC単結晶を成長させる溶液成長法によるSiC単結晶の製造において、量産化を実現するため、比較的容易に入手できる原料を用いて、良質の炭化珪素単結晶を高い成長速度で安定して製造できる方法を提供する。 【解決手段】 SiとCとM(M:Fe及びCoの一方または両方)とを含み、Mのモル濃度を[M]、Siのモル濃度を[Si]として、[M]/([M]+[Si])の値が、MがFeである場合は、0.2以上、0.7以下、MがCoである場合は、0.05以上、0.25以下である合金の融液中に、炭化珪素の種結晶基板を浸漬し、少なくとも前記種結晶基板周辺における前記合金融液をSiCの過飽和状態とする(例、融液に温度勾配を形成するか、融液の冷却または濃縮により)ことによって前記種結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

SiとCとM(M:Fe及びCoの一方または両方)とを含み、Mのモル濃度を[M]、Siのモル濃度を[Si]として、[M]/([M]+[Si])の値が、 MがFeである場合は、0.2以上、0.7以下、 MがCoである場合は、0.05以上、0.25以下 である合金の融液中に、炭化珪素の種結晶基板を浸漬し、少なくとも前記種結晶基板周辺における前記合金融液をSiCの過飽和状態とすることによって前記種結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする、炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 11/06

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B11/06

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CD05 ,  4G077EC08 ,  4G077HA01 ,  4G077HA05 ,  4G077MB12

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-072033   出願人：株式会社日立製作所
• 炭化珪素単結晶とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-105567   出願人：住友金属工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-164061   出願人：住友金属工業株式会社
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-072033   出願人：株式会社日立製作所