特許
J-GLOBAL ID：200903075550464166
不揮発性半導体メモリ装置およびそのプログラム方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-334987
公開番号（公開出願番号）：特開2001-167589
出願日： 2000年11月01日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 プログラム以後しきい値電圧間のマージンを一定に維持させる不揮発性半導体メモリ装置およびそのプログラム方法を提供する。【解決手段】 ビットラインと、このビットラインに対して垂直に配列された複数本のワードラインと、前記ビットラインと前記ワードラインの交差領域にそれぞれ配列された複数個のメモリセルと、それぞれが対応する入出力ラインに接続され、データをラッチする少なくとも2つのラッチを有する貯蔵回路と、前記ラッチにラッチされたデータの論理状態によりプログラム動作で前記ビットラインをプログラム電圧及びプログラム禁止電圧のうちの一つに設定するプログラムデータ判別回路とを含む。
請求項（抜粋）：
ビットラインと、このビットラインに対して垂直に配列された複数本のワードラインと、前記ビットラインと前記ワードラインの交差領域にそれぞれ配列された複数個のメモリセルと、それぞれが対応する入出力ラインに接続され、データをラッチする少なくとも2つのラッチを有する貯蔵回路と、前記ラッチにラッチされたデータの論理状態によりプログラム動作で前記ビットラインをプログラム電圧及びプログラム禁止電圧のうちの一つに設定するプログラムデータ判別回路とを含むことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
FI (6件)：
G11C 17/00 611 E
, G11C 17/00 611 A
, G11C 17/00 634 Z
, G11C 17/00 634 A
, G11C 17/00 636 Z
, G11C 17/00 641
