特許
J-GLOBAL ID：200903057987409220
不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ書き込み方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-147709
公開番号（公開出願番号）：特開平11-242894
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】書き込み、ベリファイ読み出し時間を短縮できる不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ書き込み方法を提供する【解決手段】書き込み前に全ビット線電圧を電源電圧VCCに充電した後、ゲート電極がラッチ回路Q21,Q22の第2の記憶ノードN21b,N22bに接続されたNMOSトランジスタNT25,NT26を介してビット線を放電させることにより、高速にビット線充電を行い、書き込み禁止電圧に接続されるビット線電圧を電源電圧VCCとすることにより、ドレイン側の選択ゲートのしきい値電圧Vthを下げるとともに、セルフ-ブーストに対して余裕を持たせ、なおかつ並列的に書き込みを行うことにより、これによりデータ書き込み前のビット線充電時間が短縮され、結果的に全体の書き込み時間を短縮でき、また、ベリファイ読み出しおよび通常読み出しを高速に行うことができる。
請求項（抜粋）：
ワード線およびビット線への印加電圧に応じて電荷蓄積部に蓄積された電荷量が変化し、その変化に応じてしきい値電圧が変化し、しきい値電圧に応じた値のデータを記憶するメモリセルを有し、3値以上の多ビットデータをページ単位でメモリセルに書き込む不揮発性半導体記憶装置であって、書き込み前に全ビット線を所定の電圧にプリチャージするプリチャージ手段と、書き込みデータがラッチされるラッチ回路を有し、アドレスに応じて選択されたビット線をラッチデータに応じて放電させ、書き込みを並列に行う書込制御回路とを有する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 16/06
, G11C 16/04
, G11C 16/02
G11C 17/00 634 B
, G11C 17/00 622 E
, G11C 17/00 633 C
, G11C 17/00 634 G
, G11C 17/00 641
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
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