特許
J-GLOBAL ID：200903075558833314

酸化物半導体素子

発明者：
綾 洋一郎

綾 洋一郎 について

, 
矢田 茂郎

矢田 茂郎 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (2件)： 寺山 啓進 ,  三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-268830
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081231
出願日： 2005年09月15日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】p/n接合界面又はp/i/n接合界面における1A族元素の拡散による素子特性の経時的劣化を抑制し、素子特性の安定性を確保することを目的とした酸化物半導体素子を提供する。【解決手段】ガラス等の絶縁性基板1上にn型酸化物層2、バリア層3、p型酸化物層4が順に積層され、p型酸化物層4上には2層構造の金属電極5が、n型酸化物層2上には金属電極6が形成されている。n型酸化物2としてZnOを、p型酸化物層4として1A族元素のLiをドープしたNiOを用いている。また、1A族元素の拡散を抑制するバリア層3としてSiONを用いており、このバリア層3により素子特性の経時的劣化を抑制することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
n型酸化物層とp型酸化物層が積層されている酸化物半導体素子において、前記p型酸化物層は1A族元素の1つ又は複数種の元素を含む半導体層で構成され、1A族元素の拡散を抑制するバリア層を前記n型酸化物層とp型酸化物層との間に形成したことを特徴とする酸化物半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 29/861 ,  H01L 33/00 ,  H01L 31/10
FI (3件)：
H01L29/91 F ,  H01L33/00 A ,  H01L31/10 A
Fターム (13件)：
5F041AA44 ,  5F041CA08 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA77 ,  5F049MA04 ,  5F049MB01 ,  5F049MB12 ,  5F049NA07 ,  5F049PA07 ,  5F049QA20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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