特許
J-GLOBAL ID:200903075563440703
多層回路板の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-279868
公開番号(公開出願番号):特開2005-045163
出願日: 2003年07月25日
公開日(公表日): 2005年02月17日
要約:
【課題】低コスト化及び層間の電気的接続の信頼性向上を図った多層回路板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁基材11上に薄膜導体層21及び感光層31を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターンニング処理を行って、レジストパターン31aを形成する。レジストパターン31aをマスクにして電解銅めっきを行い、薄膜導体層21上に導体層41を形成し、導体層41の所定位置に突起状の導体51を形成し、レジストパターン31aをマスクにして電解銅めっきを行い、導体層41及び突起状の導体51上に導体層42を形成する。レジストパターン31aを剥離処理し、絶縁基材11上に配線層43及び突起状の導体51aを形成する。絶縁層61を形成し、絶縁層61表面を研磨処理し、突起状の導体51aの上部が一部露出したビア相当の導体51bを形成する。さらに、絶縁層61a上に配線層44aを形成し、多層回路板を得る。【選択図】図2
請求項(抜粋):
プリント配線板やインターポーザー等の多層回路板の製造方法において、以下の工程を備えることを特徴とする多層回路板の製造方法。
(a)絶縁基材(11)上に薄膜導体層(21)を形成する工程。
(b)薄膜導体層(21)上に感光層(31)を形成する工程。
(c)パターン露光、現像等の一連のパターンニング処理を行って、レジストパターン(31a)を形成する工程。
(d)レジストパターン(31a)をマスクにして電解銅めっきを行い、薄膜導体層(21)上に導体層(41)を形成する工程。
(e)導体層(41)の所定位置に突起状の導体(51)を形成する工程。
(f)レジストパターン(31a)をマスクにして電解銅めっきを行い、導体層(41)及び突起状の導体(51)上に導体層(42)を形成する工程。
(g)レジストパターン(31a)を剥離処理し、レジストパターン(31a)下部にあった薄膜導体層(21)をエッチングで除去し、絶縁基材(11)上に配線層(43)及び突起状の導体(51a)を形成する工程。
(h)絶縁層(61)を形成する工程。
(i)絶縁層(61)表面を研磨処理し、突起状の導体(51a)の上部が一部露出したビア相当の導体(51b)を形成する工程。
(j)めっき下地層及び感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターンニング処理を行って、レジストパターン(32)を形成する工程。
(k)レジストパターン(32)をマスクにして電解銅めっきを行い、めっき下地層上に導体層(44)を形成する工程。
(l)レジストパターン(32)を剥離処理し、レジストパターン(32)下部にあっためっき下地層をエッチングで除去し、絶縁層(61a)上に配線層(44a)を形成する工程。
(m)上記(e)〜(k)の工程を必要回数繰り返す工程。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (20件):
5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA32
, 5E346AA43
, 5E346CC09
, 5E346CC32
, 5E346DD25
, 5E346DD34
, 5E346EE06
, 5E346EE08
, 5E346EE12
, 5E346EE18
, 5E346FF18
, 5E346FF19
, 5E346FF22
, 5E346GG06
, 5E346GG22
, 5E346GG28
, 5E346HH07
, 5E346HH32
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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特開平3-108798
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多層配線板の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-208624
出願人:松下電器産業株式会社
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多層配線板の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-309559
出願人:株式会社アサヒ化学研究所
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