特許

J-GLOBAL ID：200903043637160776

半導体装置およびその作製方法

発明者： 磯部 敦生 ,  高山 徹 ,  荒尾 達也
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-245939
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141359
出願日： 2001年08月14日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】 さらなる低温プロセス(350°C以下、好ましくは300°C以下)を実現し、安価な半導体装置を提供する。【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層103を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層103の一部にp型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域107(非晶質構造を有する領域)を形成した後、100〜300°Cの加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域108を形成し、非晶質な領域のままでTFTのソース領域またはドレイン領域とする。

請求項（抜粋）：

同一の絶縁表面上に画素部及び駆動回路を含む電気光学装置において、前記画素部及び駆動回路はpチャネル型TFTで形成され、前記pチャネル型TFTのチャネル形成領域は、主に結晶構造であり、且つ、前記TFTのソース領域またはドレイン領域は、主に非晶質構造であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 602 ,  H01L 29/786

FI (9件)：

G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H01L 21/265 602 A ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 612 B

Fターム (95件)：

2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  2H092PA13 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA07 ,  5C094EB05 ,  5F110AA17 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD11 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG48 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM07 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP31 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 薄膜半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-269310   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-261515   出願人：シャープ株式会社
• 薄膜半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-118635   出願人：三洋電機株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-098310   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-243831   出願人：株式会社東芝
• 薄膜半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-191310   出願人：カシオ計算機株式会社