特許
J-GLOBAL ID：200903075574433105
プラズモン共鳴構造体,その制御方法,金属ドメイン製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 康稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-017510
公開番号（公開出願番号）：特開2006-208057
出願日： 2005年01月25日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】 厚み方向とその直交方向のプラズモン共鳴を良好に制御することにより、プラズモン共鳴による電場増強効果の向上を図る。【解決手段】 金属ドメイン14が水平面内で所定の間隔で並んでいる金属粒子層12が、誘電体層10の中に垂直方向に適当な間隔で積層形成されている。このため、水平方向については、金属粒14Aの成長を制御することで、金属ドメイン14の間隔ΔWを調整することができる。また、垂直方向については、積層する誘電体層10Bの厚みを制御することで、金属粒子層12の距離ΔLを調整することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
誘電体中に、ナノ微粒子あるいは金属ドメインを含む金属粒子層を複数形成し、
前記金属粒子層の距離を制御して、プラズモン共鳴を制御することを特徴とするプラズモン共鳴制御方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
2G059AA01
, 2G059AA05
, 2G059BB04
, 2G059EE02
, 2G059GG01
, 2G059GG10
, 2G059HH01
, 2G059HH02
, 2G059HH06
, 2G059JJ01
, 2G059KK01
