半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-166750
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017124
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】強・高誘電体膜に水素や水分が及ぼすダメージから保護し得る構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の表層部に形成されたMOSトランジスタ上に形成された第1の絶縁膜201 と、第1の絶縁膜の上層側に形成され、下部電極401 、強誘電体または高誘電体を用いた電極間絶縁膜402 および上部電極403 を有する強・高誘電体キャパシタと、電極間絶縁膜が形成される前に電極間絶縁膜の側面を包むように予め形成され、電極間絶縁膜の側面を保護する絶縁性膜204 と、MOSトランジスタのドレイン領域・ソース領域のうちの一方の領域と強・高誘電体キャパシタの下部電極あるいは上部電極との間を接続する電極配線301 と、半導体基板上に形成された配線302 とを具備する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表層部に形成された不純物拡散領域からなるドレイン領域・ソース領域を有するスイッチ用のトランジスタと、前記トランジスタを含む半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上層側に形成され、下部電極、強誘電体または高誘電体を用いた電極間絶縁膜および上部電極を有するキャパシタと、前記電極間絶縁膜が形成される前に前記電極間絶縁膜の側面部を包むように予め形成され、前記電極間絶縁膜の側面を保護する第2の絶縁膜と、前記ドレイン領域・ソース領域のうちの一方の領域と前記キャパシタの上部電極あるいは下部電極との間を接続する電極配線と、前記半導体基板上に形成され、前記ドレイン領域・ソース領域のうちの他方の領域に接続された配線とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-183569
強誘電体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-254378 出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
不揮発性ランダムアクセスメモリ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-138262 出願人：シャープ株式会社

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