半導体装置の作製方法およびレーザ加工装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-268751
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135717
出願日： 2007年10月16日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：

【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程を簡略化する半導体装置の製造技術を提供して、製造コストを低減し、スループットを向上させる。【解決手段】基板上に第1材料層、第2材料層を順次積層して被照射体を形成する。当該被照射体に、第1材料層に吸収される第1のレーザビームと、第2材料層に吸収される第2のレーザビームを重畳するように照射し、該重畳するようにレーザビームが照射された領域の一部或いは全部をアブレーションさせ、開口を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1材料層を形成し、前記第1材料層上に第2材料層を形成し、前記第1材料層及び前記第2材料層に、第1のレーザビーム及び第2のレーザビームを照射して、少なくとも前記第2材料層の一領域を除去するものであり、前記第1のレーザビームは前記第1材料層に吸収され、前記第2のレーザビームは前記第2材料層に吸収され、前記第1のレーザビーム及び前記第2のレーザビームは前記領域にて重畳することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (10件)：

H01L 21/768 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/302 , B23K 26/067 , B23K 26/06 , B23K 26/38 , B23K 26/40 , G09F 9/00 , H01L 21/28

FI (9件)：

H01L21/90 A , H01L29/78 627C , H01L21/302 201B , B23K26/067 , B23K26/06 A , B23K26/38 330 , B23K26/40 , G09F9/00 338 , H01L21/28 L

Fターム (191件)：

4E068CA01 , 4E068CA07 , 4E068CD02 , 4E068CD03 , 4E068CD08 , 4E068DA09 , 4E068DB14 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD20 , 4M104DD65 , 4M104DD71 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104HH05 , 5F004AA09 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB03 , 5F004CA08 , 5F004DB08 , 5F004EB01 , 5F033GG04 , 5F033HH04 , 5F033HH10 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH15 , 5F033HH16 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH35 , 5F033JJ35 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033KK15 , 5F033KK16 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033KK35 , 5F033KK36 , 5F033LL04 , 5F033MM05 , 5F033NN13 , 5F033NN17 , 5F033NN32 , 5F033PP09 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033QQ47 , 5F033QQ48 , 5F033QQ54 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033RR22 , 5F033RR27 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033TT02 , 5F033VV06 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033WW01 , 5F033XX01 , 5F033XX28 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE30 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF10 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG55 , 5F110HJ01 , 5F110HJ23 , 5F110HK03 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HK37 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110PP29 , 5F110QQ03 , 5F110QQ06 , 5F110QQ19 , 5F110QQ24 , 5G435AA17 , 5G435BB05 , 5G435BB12 , 5G435CC09 , 5G435KK05 , 5G435KK10

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-252434 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置、及びその作製方法、液晶テレビジョン、並びにELテレビジョン
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-057344 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-079661 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (2件)

半導体装置、及びその作製方法、液晶テレビジョン、並びにELテレビジョン
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-057344 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-079661 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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