特許
J-GLOBAL ID：200903075654740300
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-063371
公開番号（公開出願番号）：特開2008-227151
出願日： 2007年03月13日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：
【課題】広範囲な温度変化に対して耐圧を安定させることが可能なSiC半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】外周部領域において、リサーフ層20を第1、第2リサーフ層20a、20bにて構成する。これにより、高温時は、不純物濃度の低い第2リサーフ層20bに空乏層が広がり、低温時には第2リサーフ層20bに加えて不純物濃度の高い第1リサーフ層20aにまで空乏層が広がることにより、-50°Cから200°Cにおいて、1000V程度の高耐圧を維持することが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素からなる第1導電型の基板(1)と、
前記基板(1)の上に形成され、前記基板(1)よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)とを有し、
前記基板(1)および前記ドリフト層(2)におけるセル部に半導体素子(3〜14)が備えられていると共に、該セル部を囲むように構成される外周部領域において、前記ドリフト層(2)内における該ドリフト層(2)の表層部に形成された第2導電型のリサーフ層(20)が備えられてなる炭化珪素半導体装置であって、
前記リサーフ層(20)は、第1の不純物濃度とされた第1リサーフ層(20a)と、前記第1リサーフ層(20a)のうちの最も外周側と接し、かつ、該第1リサーフ層(20a)のうちの最も外周側からさらに前記セル部の外周側に延設され、前記第1の不純物濃度よりも低濃度とされた第2リサーフ層(20b)と、を備えていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L29/78 652T
, H01L29/78 652E
, H01L29/78 652A
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 652N
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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