特許
J-GLOBAL ID:200903075758798793

酸化物超電導体と常電導体との接合方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高島 一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-053970
公開番号(公開出願番号):特開2000-252115
出願日: 1999年03月02日
公開日(公表日): 2000年09月14日
要約:
【要約】【課題】 酸化物超電導体と常電導体との界面における反応層の生成を抑制し得る酸化物超電導体と常電導体との接合方法を提供することにある。【解決手段】 酸化物超電導体で形成された部材1の一部又は全部を、溶融状態にある常電導体2に浸漬する。常電導体2には、該酸化物超電導体の金属成分と同一の成分を少なくとも有する物質を予め配合しておく。
請求項(抜粋):
酸化物超電導体で形成された部材の一部又は全部を、該酸化物超電導体の金属成分と同一の成分を少なくとも有する物質が予め配合され、溶融状態にある常電導体に浸漬する工程を有する酸化物超電導体と常電導体との接合方法。
IPC (3件):
H01F 6/06 ZAA ,  C04B 37/00 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA
FI (3件):
H01F 5/08 ZAA E ,  C04B 37/00 ZAA C ,  H01B 12/00 ZAA
Fターム (11件):
4G026BA02 ,  4G026BB21 ,  4G026BF57 ,  4G026BG02 ,  4G026BG30 ,  4G026BH06 ,  5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321AA05 ,  5G321AA07 ,  5G321BA05
引用特許:
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る