特許
J-GLOBAL ID：200903075773613996

ナノギャップ電極の製造方法

発明者：
永瀬 隆

永瀬 隆 について

, 
蒲生 健次

蒲生 健次 について

, 
久保田 徹

久保田 徹 について

, 
益子 信郎

益子 信郎 について


出願人/特許権者：
独立行政法人情報通信研究機構

独立行政法人情報通信研究機構 について


代理人 (1件)： 廣瀬 隆行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-018409
公開番号（公開出願番号）：特開2007-201211
出願日： 2006年01月27日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：
【課題】 本発明は,ナノスケールのギャップを有する電極を,少ない工程で効率的に製造するギャップ電極の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板上に設けられた電極に電圧を印加して,前記電極を流れる電流を測定しつつ,所定の照射パターンで,集束イオンビームエッチングにより電極をエッチングすることにより,細線電極部とギャップ部とを有するギャップ電極を形成する, ギャップ電極の製造方法。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた電極に電圧を印加して,前記電極を流れる電流を測定しつつ,所定の照射パターンを用いた集束イオンビームによるエッチングを行うことにより,前記電極にギャップを有する細線電極部を具備するギャップ電極を1回の工程で形成する, ギャップ電極の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 ,  B82B 3/00 ,  H01L 21/302
FI (3件)：
H01L21/28 301R ,  B82B3/00 ,  H01L21/302 201B
Fターム (15件)：
4M104AA01 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104DD75 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104GG20 ,  4M104HH14 ,  5F004BA17 ,  5F004CB05 ,  5F004DB08 ,  5F004EA39 ,  5F004EB02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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