半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：矢作和行 , 野々部泰平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-265766
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166705
出願日： 2007年10月11日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

【課題】能動素子または受動素子が一つの半導体基板に複数個形成されてなる半導体装置およびその製造方法であって、両面電極素子についても絶縁分離と集積化が可能であり、安価に製造することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板20が、当該半導体基板20を貫通する絶縁分離トレンチTに取り囲まれて、複数のフィールド領域F1〜F8に分割されてなり、複数個の能動素子31〜33,41〜43または受動素子51,52が、それぞれ異なるフィールド領域F1〜F8に分散して配置されてなり、二個以上の素子が、当該素子に通電するための一組の電極dr1,dr2が半導体基板20の両側の表面S1,S2に分散して配置されてなる、両面電極素子41〜43,51,52である半導体装置100とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板を用いた能動素子または受動素子が、一つの半導体基板に複数個形成されてなる半導体装置であって、前記半導体基板が、当該半導体基板を貫通する絶縁分離トレンチに取り囲まれて、複数のフィールド領域に分割されてなり、前記複数個の能動素子または受動素子が、それぞれ異なる前記フィールド領域に分散して配置されてなり、前記複数個の能動素子または受動素子のうち、二個以上の素子が、当該素子に通電するための一組の電極が前記半導体基板の両側の表面に分散して配置されてなる、両面電極素子であることを特徴とする半導体装置。

IPC (15件)：

H01L 21/822 , H01L 21/824 , H01L 27/06 , H01L 27/04 , H01L 21/823 , H01L 27/08 , H01L 21/76 , H01L 29/78 , H01L 27/088 , H01L 29/739 , H01L 21/764 , H01L 29/41 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 27/00

FI (19件)：

H01L27/06 101U , H01L27/06 321A , H01L27/04 A , H01L27/06 102A , H01L27/08 331A , H01L21/76 L , H01L29/78 656A , H01L29/78 656D , H01L29/78 656G , H01L29/78 655A , H01L21/76 A , H01L29/78 657D , H01L29/78 652Q , H01L29/44 L , H01L21/88 Z , H01L27/08 102E , H01L27/04 R , H01L27/06 101D , H01L27/00 301A

Fターム (102件)：

4M104AA01 , 4M104DD26 , 4M104FF02 , 4M104GG02 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG18 , 4M104GG19 , 4M104HH20 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA47 , 5F032AC02 , 5F032CA14 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032CA18 , 5F032CA20 , 5F032CA21 , 5F032CA24 , 5F032CA25 , 5F032DA12 , 5F032DA24 , 5F032DA33 , 5F033MM30 , 5F033QQ07 , 5F033QQ19 , 5F033QQ58 , 5F033VV09 , 5F033XX22 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F038AR02 , 5F038AR03 , 5F038AR14 , 5F038BE07 , 5F038CA02 , 5F038CA07 , 5F038CA08 , 5F038CA12 , 5F038CD05 , 5F038DF01 , 5F038EZ06 , 5F038EZ13 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20 , 5F048AA04 , 5F048AC05 , 5F048AC06 , 5F048AC08 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA06 , 5F048BC03 , 5F048BC07 , 5F048BC12 , 5F048BC18 , 5F048BD07 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BE04 , 5F048BE05 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BF18 , 5F048BG13 , 5F048CA01 , 5F048CA03 , 5F048CA12 , 5F048CB01 , 5F048CB07 , 5F082AA08 , 5F082AA35 , 5F082BA03 , 5F082BA06 , 5F082BA11 , 5F082BA12 , 5F082BA23 , 5F082BA47 , 5F082BA50 , 5F082BC01 , 5F082BC09 , 5F082BC11 , 5F082BC15 , 5F082DA03 , 5F082DA05 , 5F082DA09 , 5F082EA12 , 5F082EA22 , 5F082FA13 , 5F082FA20 , 5F082GA03 , 5F082GA04 , 5H007BB06 , 5H007CA01 , 5H007CB05 , 5H007CB12 , 5H007DB03 , 5H007HA04

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-234173 出願人：株式会社デンソー
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-326930 出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (2件)

複合集積回路およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-241632 出願人：富士電機株式会社
1チップデュアル型絶縁ゲート型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-173496 出願人：三洋電機株式会社

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