特許

J-GLOBAL ID：200903075833423385

受動素子を有する集積回路素子

発明者： 金 泓秀 ,  李 俊煕
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-159817
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037169
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 抵抗、インダクタ又はヒューズが配置された受動領域の信頼性が高い集積回路素子を提供する。【解決手段】 離れて隣接し所定の高さを有するダミーパターン44a、44bは、受動素子領域110のコンタクトホール105a〜105cが形成された部分の下に存在する。ダミーパターン44a、44bは周辺回路トランジスタの第1ゲート120aと同一の物質膜で形成される。これにより、コンタクトホール105a〜105cを通じて受動素子領域110に電極155a〜155cは確実に接続される。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上の第1導電膜パターンからなり、近傍に一定間隔を置いて隣合って配置されたダミーパターンと、前記ダミーパターンの上部を覆って前記絶縁膜の上部まで延長されて前記絶縁膜を覆う第2導電膜パターンと、近傍において離れたダミーパターンの上部に整列されて前記第2導電膜パターンに接続された隣合う電極とを備え、前記ダミーパターンは前記絶縁膜上で前記ダミーパターンの垂直大きさを定義する厚さを有し、前記ダミーパターンはこれらの間において前記絶縁膜の露出領域が露出している低い水平領域を限定し、前記第2導電膜パターンは受動素子を構成することを特徴とする受動素子構造。

IPC (14件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 491 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (10件)：

H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 491 ,  H01L 21/82 F ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/04 M ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/08 102 H ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 A

Fターム (71件)：

5F033HH04 ,  5F033KK04 ,  5F033KK28 ,  5F033MM07 ,  5F033NN12 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ38 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033VV01 ,  5F038AV15 ,  5F038AZ04 ,  5F038CA05 ,  5F038CA18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB01 ,  5F048AC10 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BF15 ,  5F048BF19 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F064BB12 ,  5F064CC10 ,  5F064CC22 ,  5F064EE27 ,  5F064FF27 ,  5F064FF30 ,  5F064FF33 ,  5F064GG00 ,  5F064GG03 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083MA01 ,  5F083MA06 ,  5F083MA15 ,  5F083MA16 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083NA02 ,  5F083PR06 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA05 ,  5F083ZA28 ,  5F101BA01 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BD35 ,  5F101BD37 ,  5F101BH21 ,  5F101BH23

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-296552   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-320128   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-092746   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平1-108748
  

審査官引用 (4件)

• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-092746   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-296552   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-320128   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平1-108748