特許
J-GLOBAL ID：200903075834819959

シリサイドの形成方法

発明者：
角 ▲博▼文

角 ▲博▼文 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-137900
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320987
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 シリサイド層を薄膜化して狭い幅の領域に形成すると、いわゆる細線効果が起きてチタンシリサイドが凝集を起こす。そのため、低いシート抵抗のチタンシリサイド層を形成することは困難であった。【解決手段】 シリコン基板11にシリコン層としてソース・ドレイン領域19,20を形成する工程と、ソース・ドレイン領域19,20上にシリコンと反応する金属膜21を形成する工程と、ソース・ドレイン領域19,20と金属膜21とを反応させてシリサイド層22,23を形成する工程とを備えたシリサイドの形成方法において、ソース・ドレイン領域19,20を形成した後で金属膜21を形成する工程の直前に、シリコン基板11に熱処理を施して吸着物質を除去するとともに、熱処理中にソース・ドレイン領域19,20の表面をスパッタエッチングして自然酸化膜を除去する。
請求項（抜粋）：
基板にシリコン層を形成する工程と、前記シリコン層上に、該シリコン層と反応する金属膜を形成する工程と、前記シリコン層と前記金属膜とを反応させてシリサイド層を形成する工程とを備えたシリサイドの形成方法において、前記シリコン層を形成した後で前記金属膜を形成する工程の直前に、前記基板に熱処理を施すとともに、該熱処理中に前記シリコン層の表面をスパッタエッチングすることを特徴とするシリサイドの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205
FI (2件)：
H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/88 Q
引用特許：
審査官引用 (4件)
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