GaP系半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅原正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-263843
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078162
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】間接遷移型の発光形態においても十分な輝度の向上が可能であるGaP系半導体発光素子を提供する。【解決手段】 GaP系の半導体基体70において、p型層側の主面を第一主表面10、その反対側の主面を第二主面11とする。第二主面には、ラッピングした後、王水でエッチングすることにより、光の全反射を向上させるための、半導体基体70の内側に凸となる鏡面状の凹曲面51を集合形成させ、他方、半導体基体70における第一接触層62の形成領域と第二主面11以外に、異方性エッチングにより、光の全反射を低減させるための、外側に凸となる凸曲面53を集合形成させる。さらに、第二主面11に形成される第二接触層64(第二電極63)を、Au、SiおよびNiよりなる合金より形成し、第一主表面10に形成される第一接触層62を、Auと、BeもしくはZnとの合金より形成する。

請求項（抜粋）：

p-n接合を有するGaP系の半導体基体と、該半導体基体に発光駆動電圧を印加させるための電極とを有し、前記半導体基体のp型層側の主面を第一主面、その反対側の主面を第二主面とし、前記半導体基体の第一主面および側面には、外側に凸となる凸曲面が集合した粗面が形成され、かつ前記第二主面は、王水でエッチングして形成された鏡面であることを特徴とするGaP系半導体発光素子。

Fターム (7件)：

5F041AA04 , 5F041CA12 , 5F041CA37 , 5F041CA63 , 5F041CA85 , 5F041CB15 , 5F041DA07

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭59-023579
特公昭52-038397
半導体発光素子の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-108171 出願人：ローム株式会社

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