特許
J-GLOBAL ID:200903075881710469
積層材料及びそれを用いるチップキャリア
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
田治米 登 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-071591
公開番号(公開出願番号):特開平11-274371
出願日: 1998年03月20日
公開日(公表日): 1999年10月08日
要約:
【要約】【課題】 下層導体層、その上の絶縁層及びその上に形成された上層導体層を含む積層材料、並びにそれからなるチップキャリアの当該絶縁層をBCB樹脂から形成した場合に、過マンガン酸塩処理により、下層導体層を露出させることなく絶縁層の表面を容易に粗面化できるようにする。【解決手段】 下層導体1上に絶縁層2及びその上に上層導体層3が積層された構造を有する積層材料において、絶縁層2を、下層導体層1側からベンゾシクロブテン樹脂からなる第1の樹脂層2aと、その上に形成された、SiO2フィラがベンゾシクロブテン樹脂に分散されている第2の樹脂層2bとから構成する。そして上層導体層3に接する第2の樹脂層2bの表面を、過マンガン酸塩処理により粗面化する。
請求項(抜粋):
下層導体層上に絶縁層及び更にその上に上層導体層が積層された構造を有する積層材料において、絶縁層が、下層導体層側からベンゾシクロブテン樹脂からなる第1の樹脂層と、その上に形成された、SiO2フィラがベンゾシクロブテン樹脂に分散されている第2の樹脂層とから構成されており、且つ上層導体層に接する第2の樹脂層の表面が過マンガン酸塩処理により粗面化されていることを特徴とする積層材料。
IPC (3件):
H01L 23/14
, H05K 1/03 630
, H05K 3/38
FI (3件):
H01L 23/14 R
, H05K 1/03 630 D
, H05K 3/38 A
引用特許:
前のページに戻る