カルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：富田和夫 , 鴨井久太郎 , 影山秀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-141802
公開番号（公開出願番号）：特開2009-287092
出願日： 2008年05月30日
公開日（公表日）： 2009年12月10日
要約：

【課題】太陽電池の光吸収層を形成するためのカルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】原料粉末として、Cu-Se二元系銅合金粉末、Cu-In二元系銅合金粉末、Cu-Ga二元系銅合金粉末およびCu-In-Ga三元系銅合金粉末を用意し、前記Cu-Se二元系銅合金粉末に前記Cu-In二元系銅合金粉末、Cu-Ga二元系銅合金粉末またはCu-In-Ga三元系銅合金粉末をCuaInbGacSed(但し、単位は原子%、25≦a≦65、0≦b≦50、0≦c≦30、30≦d≦50、a+b+c+d=100)からなる成分組成を有するように配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をホットプレスしてホットプレス体を作製し、このホットプレス体の表面を切削することを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

原料粉末として、CuとSeからなるCu-Se二元系銅合金粉末、CuとInからなるCu-In二元系銅合金粉末、CuとGaからなるCu-Ga二元系銅合金粉末およびCuとInとGaからなるCu-In-Ga三元系銅合金粉末を用意し、前記Cu-Se二元系銅合金粉末に前記Cu-In二元系銅合金粉末、Cu-Ga二元系銅合金粉末またはCu-In-Ga三元系銅合金粉末をCuaInbGacSed(但し、単位は原子%、25≦a≦65、0≦b≦50、0≦c≦30、30≦d≦50、a+b+c+d=100)からなる成分組成を有するように配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をホットプレスしてホットプレス体を作製し、このホットプレス体の表面を切削することを特徴とするカルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法。

IPC (6件)：

C22C 9/00 , C23C 14/34 , C22C 28/00 , B22F 3/14 , C22F 1/08 , H01L 31/04

FI (6件)：

C22C9/00 , C23C14/34 A , C22C28/00 B , B22F3/14 D , C22F1/08 Z , H01L31/04 E

Fターム (12件)：

4K018AA04 , 4K018BB04 , 4K018EA01 , 4K018FA06 , 4K018KA29 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC08 , 5F051AA10 , 5F051BA11 , 5F051CA13 , 5F051CB15

引用特許：

出願人引用 (1件)

光吸収層の形成方法
公報種別：再公表公報出願番号：JP2002005730 出願人：本田技研工業株式会社

審査官引用 (6件)

光電変換装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-316788 出願人：ローム株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
化合物半導体薄膜ならびにその製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-270033 出願人：松下電器産業株式会社
特開平3-044461

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