光電変換装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-316788
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123720
出願日： 2005年10月31日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】化合物半導体薄膜を用いた光電変換素子の暗電流を大幅に低減する。【解決手段】基板上に下部電極層、光吸収層として機能するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜、透光性電極層が順次積層されて構成される光電変換装置であって、透光性電極層の端部の位置が、化合物半導体薄膜の側面よりも内側になるようにパターニングし、PN接合界面の端部が、パターニングされた化合物半導体薄膜の側面に達しないように、PN接合界面が化合物半導体薄膜の内部に埋め込まれた構造とすることによって、PN接合の界面の端部からのリーク電流を、さらに低減できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に下部電極層、光吸収層として機能するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜、透光性電極層が順次積層されて構成される光電変換装置であって、前記カルコパイライト構造の化合物半導体薄膜の端部が前記透光性電極層の端部よりも外方に位置するように、前記透光性電極層のパターンが形成されている光電変換装置。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 31/10

FI (2件)：

H01L31/04 E , H01L31/10 A

Fターム (19件)：

5F049MB01 , 5F049NA05 , 5F049PA07 , 5F049PA14 , 5F049PA15 , 5F049QA02 , 5F049SE02 , 5F049SE05 , 5F049SE09 , 5F049SS01 , 5F051AA10 , 5F051CB15 , 5F051CB21 , 5F051CB27 , 5F051DA03 , 5F051FA02 , 5F051FA06 , 5F051FA16 , 5F051GA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

メカニカルスクライブ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-319028 出願人：本田技研工業株式会社

審査官引用 (10件)

太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-209714 出願人：松下電器産業株式会社
特開平2-271225
特開平2-148773

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