特許
J-GLOBAL ID：200903071912830411

化合物半導体薄膜ならびにその製造方法および製造装置

発明者：
井上 浩伸

井上 浩伸 について

, 
北川 雅俊

北川 雅俊 について

, 
根上 卓之

根上 卓之 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-270033
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083824
出願日： 2000年09月06日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：
【要約】【課題】 IB族元素、IIIB族元素、およびVIB族元素を含む化合物半導体薄膜の新規な製造方法を提供する。【解決手段】 IB族元素、IIIB族元素およびVIB族元素を含む化合物半導体薄膜の製造方法が:(a)少なくともスパッタリング法を用いて原料元素を基板上に供給して、IB族元素およびIIIB族元素を含む前駆体薄膜、またはIB族元素、IIIB族元素およびVIB族元素を含む前駆体薄膜を基板上に形成する工程と;(b)スパッタリング法以外の方法を用いてVIB族元素を該前駆体薄膜上に供給しながら、前駆体薄膜が形成された基板を工程(a)における温度よりも高い温度で熱処理して、該前駆体薄膜から、IB族元素、IIIB族元素およびVIB族元素を含む化合物半導体薄膜を基板上に形成する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
IB族元素、IIIB族元素およびVIB族元素を含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、(a)少なくともスパッタリング法を用いて原料元素を基板上に供給して、IB族元素およびIIIB族元素を含む前駆体薄膜、またはIB族元素、IIIB族元素およびVIB族元素を含む前駆体薄膜を基板上に形成する工程と、(b)スパッタリング法以外の方法を用いてVIB族元素を該前駆体薄膜上に供給しながら、前駆体薄膜が形成された基板を工程(a)における温度よりも高い温度で熱処理して、該前駆体薄膜から、IB族元素、IIIB族元素およびVIB族元素を含む化合物半導体薄膜を基板上に形成する工程とを含む方法。
IPC (4件)：
H01L 21/363 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/22 ,  H01L 31/04
FI (4件)：
H01L 21/363 ,  C23C 14/06 L ,  C23C 14/22 C ,  H01L 31/04 E
Fターム (28件)：
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA41 ,  4K029BB02 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029CA09 ,  4K029GA01 ,  5F051AA10 ,  5F051BA12 ,  5F051CB15 ,  5F051CB24 ,  5F051FA02 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03 ,  5F103AA01 ,  5F103AA08 ,  5F103AA10 ,  5F103BB57 ,  5F103DD30 ,  5F103HH01 ,  5F103HH04 ,  5F103HH05 ,  5F103LL04 ,  5F103NN01 ,  5F103PP03 ,  5F103RR06
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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