特許

J-GLOBAL ID：200903075952236070

半導体レ-ザ装置の製造方法

発明者： パブロ・バッカロ ,  堂本 千秋 ,  江上 典文
出願人/特許権者： 株式会社エイ・ティ・アール環境適応通信研究所
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-263642
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164964
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 基板上で複数の半導体レーザ素子のテストを行うことができる半導体レーザ装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板110、電極層118及びバッファ層111を除く電極層117からエッチング層112までの各層を選択的にエッチングしかつエッチング層112をレーザ構造層より速くエッチングしてバッファ層111上にレーザ構造層のオーバーハング部120を形成した後、p型電極119上からクラッド層113に向かってカンチレバー130を用いて厚さ方向131に応力を印加して、電極層117からクラッド層113までの各層を厚さ方向に劈開することにより劈開面132に反射ミラーを形成して複数のレーザ素子140を半導体基板110上に分離しない状態で得て各レーザ素子140の動作テストを行う。半導体基板110をスクライバ133を用いてスクライブして半導体基板110を厚さ方向で切断して複数のレーザ素子140を得る。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にエッチング層を形成するステップと、上記エッチング層上にレーザ構造層を形成するステップと、上記レーザ構造層上と上記半導体基板の裏面とにそれぞれ電極層を形成するステップと、少なくとも上記レーザ構造層をレーザ素子の単位に分離するステップと、上記エッチング層を上記レーザ構造層より速くエッチングするエッチング液を用いてエッチングすることにより上記レーザ構造層にオーバーハング部を形成するステップと、上記レーザ構造層のオーバーハング部を劈開して上記レーザ構造層に反射ミラーを形成するステップと、上記各ステップを経て上記半導体基板上に形成された複数のレーザ素子を上記半導体基板から分離することなく個別に動作テストを行うステップと、上記半導体基板を上記各レーザ素子毎に切断して分離するステップと、を含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 5/02 ,  H01L 21/301

FI (2件)：

H01S 5/02 ,  H01L 21/78 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-016313   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-206279   出願人：株式会社東芝
• 半導体レーザの評価方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-218477   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体レーザの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-022199   出願人：ソニー株式会社