CVD法による薄膜の堆積装置及び堆積方法並びに該堆積装置又は該堆積方法で用いられるCVD原料及び液体原料容器

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-326971
公開番号（公開出願番号）：特開平8-176826
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：

【要約】【目的】基板上に、DRAMのキャパシタの絶縁膜として適切な電気特性を備えた薄膜を形成することができる手段を得ることを目的とする。【構成】本発明にかかるCVD装置においては、ガスヘッド36及び加熱ランプ33の下で、基板17が成膜処理されつつ移動させられ、これによって成膜初期、中期、終期の各ステップにおいて、最適な熱雰囲気で成膜が行われ、優れた電気特性を備えた薄膜が形成される。

請求項（抜粋）：

液体のCVD原料を保持する液体原料容器と、該液体原料容器内のCVD原料を液体のままで気化部へ供給する液体原料供給器と、該液体原料供給器から供給された液体のCVD原料を高温にして気化させる気化器と、気化したCVD原料を用いて基板上に薄膜を形成する反応室とを有するCVD法による薄膜の堆積装置において、一列に並べられ独立に原料噴出速度を調節することができる複数のガスヘッド及び昇温用のランプ加熱機構の下で、上記基板を薄膜形成処理を施しつつ移動させて薄膜を形成するようになっていることを特徴とするCVD法による薄膜の堆積装置。

IPC (6件)：

C23C 16/40 , C23C 16/44 , H01L 21/205 , H01L 21/316 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

引用特許：

審査官引用 (9件)

高純度誘電体薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-024294 出願人：三菱マテリアル株式会社
半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-320505 出願人：株式会社半導体プロセス研究所, アルキヤンテック株式会社, キヤノン販売株式会社
半導体装置用誘電体の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-294797 出願人：株式会社日立製作所

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