特許
J-GLOBAL ID：200903076022799730
薄膜圧電共振器およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-402714
公開番号（公開出願番号）：特開2004-222244
出願日： 2003年12月02日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】 容易に作成可能で安価な薄膜圧電共振器を得ることを可能にする。【解決手段】 基板1上に形成され基板と下面が下部空洞5を形成する圧電膜3aと、この圧電膜の下面に接する下部電極3bと、圧電膜の上面に接し下部電極と重なる部分を有する上部電極3cとを含み圧電膜の膜面に垂直な方向に下部空洞に通じる第1貫通孔6が形成された薄膜圧電共振子3と、圧電膜の上面と上部空洞を形成し、膜面垂直方向に上部空洞に通じる第2貫通孔8が形成された上部空洞形成膜9と、上部空洞形成膜を覆うとともに第2貫通孔を塞ぐように形成された封止層11と、を備えたことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成され前記基板と下面が下部空洞を形成する圧電膜と、この圧電膜の前記下面に接する下部電極と、前記圧電膜の上面に接し前記下部電極と重なる部分を有する上部電極とを含み前記圧電膜の膜面に垂直な方向に前記下部空洞に通じる第1貫通孔が形成された薄膜圧電共振子と、
前記圧電膜の前記上面と上部空洞を形成し、膜面垂直方向に前記上部空洞に通じる第2貫通孔が形成された上部空洞形成膜と、
前記上部空洞形成膜を覆うとともに前記第2貫通孔を塞ぐように形成された封止層と、
を備えたことを特徴とする薄膜圧電共振器。
IPC (4件)：
H03H9/17
, H01L41/09
, H01L41/22
, H03H3/02
H03H9/17 F
, H03H3/02 B
, H01L41/08 J
, H01L41/22 Z
5J108AA07
, 5J108CC04
, 5J108CC11
, 5J108DD01
, 5J108DD06
, 5J108DD07
, 5J108EE03
, 5J108GG07
, 5J108KK01
, 5J108MM11
