張り合わせ基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-116751
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279605
出願日： 1995年05月16日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】本発明は、SIMOX基板を用いたSOI基板の製造において生じるシリコン基板と酸化層との界面およびその近傍の欠陥層を含まないSOI層の形成を図る。【構成】第1工程で、シリコン基板11中に酸素を導入して熱処理を行うことにより酸化層12を形成しその上部のシリコン基板11でシリコン層13を形成するとともに、シリコン層13の表面に酸化シリコン層14を形成する。第2工程で、シリコン層13の表面に少なくとも酸化シリコン層14を介して他の基板16に張り合わせる。第3工程で、シリコン基板11をその裏面側から除去し、さらに酸化層12をシリコン層13に対して選択的に除去する。第4工程で、残したシリコン層13に生じている欠陥層22を除去してSOI層17を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板中に酸素を導入した後、熱処理を行うことによって該酸素を導入した領域に酸化層を形成するとともに該酸化層上のシリコン基板をシリコン層とし、該シリコン層の表面に絶縁層を形成する第1工程と、前記シリコン層の表面に少なくとも前記絶縁層を介して他の基板に張り合わせる第2工程と、前記シリコン基板をその裏面側から除去し、さらに前記酸化層を前記シリコン層に対して選択的に除去する第3工程と、前記シリコン層に形成されている欠陥層を除去して該シリコン層からなるSOI層を形成する第4工程とからなることを特徴とする張り合わせ基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 , H01L 21/265 , H01L 21/304 321 , H01L 21/762

FI (4件)：

H01L 27/12 B , H01L 21/304 321 S , H01L 21/265 J , H01L 21/76 D

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-115511
SOI基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-359127 出願人：ソニー株式会社
半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-042771 出願人：株式会社東芝

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