特許
J-GLOBAL ID：200903076034666131

光電子デバイスの電流-電圧特性及び発振を制御する方法および装置

発明者：
安岡 正純

安岡 正純 について


出願人/特許権者：
株式会社アドバンテスト

株式会社アドバンテスト について


代理人 (1件)： 龍華 明裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-255303
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091599
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 照射する光の波長を制御することによって、光電子デバイスの電流-電圧特性の線形性を改善する方法を提供する。【解決手段】 本発明は、光電子デバイスに、所定の波長以下(所定のエネルギ以上)の光を照射することによって、電流-電圧特性を改善する。所定の波長は、価電子帯から、下部伝導帯よりも高いエネルギ準位に存在する上部伝導帯までのエネルギギャップに基づいて定められる。ここで、電流-電圧特性曲線20と30を比較すると、光源波長λ=827nm(曲線20)よりも、光源波長λ=674nm(曲線30)のときの方が、電流-電圧特性の線形性が優れている。すなわち、光源波長を827nmから674nmに変えることによって、電圧指数αが、0.68から0.87に改善され、その結果、電流-電圧特性の線形性が改善される。
請求項（抜粋）：
バルク負性抵抗効果を示す光電子デバイスの電流-電圧特性の非線形性を改善する方法であって、所定の波長以下の光を前記光電子デバイスに照射することによって、電流-電圧特性のバルク負性抵抗成分を低減することを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 31/0248 ,  B01J 19/12 ,  H01L 47/02
FI (3件)：
H01L 31/08 K ,  B01J 19/12 F ,  H01L 47/02
Fターム (10件)：
4G075AA30 ,  4G075AA61 ,  4G075CA32 ,  5F088AA11 ,  5F088AB07 ,  5F088AB09 ,  5F088BA20 ,  5F088BB10 ,  5F088LA01 ,  5F088LA03
引用特許：
出願人引用 (10件)
  • 特開昭53-005983
  • 特公昭47-040998
  • 光半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-012225   出願人：株式会社日立製作所
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