特許
J-GLOBAL ID：200903076045767592
静電誘導型変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-178169
公開番号（公開出願番号）：特開2006-180450
出願日： 2005年06月17日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】 小型で電気エネルギと運動エネルギとの変換効率が高く、エレクトレットの劣化も防止できる静電誘導型変換素子を提供する。【解決手段】 エレクトレット10は、絶縁材料の表面付近に電荷を注入して形成されており、2つの導体12、14の間に配置されて、エレクトレット10に対向する少なくとも一方の導体12に対して相対的に運動して電気エネルギと運動エネルギとの変換を行うように構成されている。エレクトレット10を形成する絶縁材料としては、含フッ素脂肪族環構造を有する重合体を使用するのが好適である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電気エネルギと運動エネルギとを変換する静電誘導型変換素子であって、
2つ以上の重合性二重結合を有する含フッ素モノマーを環化重合して得られる、主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有する重合体により構成され、導体と相対的に運動するエレクトレットを備えることを特徴とする静電誘導型変換素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
出願人引用 (14件)
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特開昭58-6118号公報
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特許第3545982号公報
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特開平4-112683
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審査官引用 (12件)
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特開平4-112683
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特開昭63-238111
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エレクトレット薄層及びその製造方法
公報種別：公表公報
出願番号：特願2000-548896
出願人：イノヴァチオーンスアゲントゥーアゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング, ヨハネスハイツ
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