特許
J-GLOBAL ID：200903076093124083
半導体素子実装構造体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-152315
公開番号（公開出願番号）：特開2005-333079
出願日： 2004年05月21日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：
【課題】 複数の半導体素子から発生する熱を効率良く放熱させることができる半導体素子実装構造体を提供する。【解決手段】 電気絶縁基材(11a-11c)と、電気絶縁基材(11c)の表面(111c)及び電気絶縁基材(11a-11c)間に配置された半導体素子(12-14)と、電気絶縁性基材(11a,11c)の表面(111a,111c)に設けられた放熱部(15a-15d)と、電気絶縁基材(11a-11c)内に設けられ、放熱部(15a-15d)と半導体素子(12-14)とを接続する導熱路(16a-16d)とを備えている半導体素子実装構造体(1)とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数層の電気絶縁基材と、前記電気絶縁基材表面及び前記電気絶縁基材間の少なくともいずれか一方に配置された複数の半導体素子とを含む半導体素子実装構造体であって、
前記半導体素子は、それぞれ前記電気絶縁基材の厚み方向に互いに対面しない部分を有しており、
最外層に配置された前記電気絶縁性基材のうち少なくともいずれか一方の表面に設けられた放熱部と、
前記電気絶縁基材内に設けられ、前記放熱部と前記半導体素子とを接続する導熱路とを更に備えていることを特徴とする半導体素子実装構造体。
IPC (4件)：
H01L23/36
, H05K1/02
, H05K3/46
, H05K7/20
H01L23/36 D
, H05K1/02 Q
, H05K3/46 N
, H05K3/46 Q
, H05K3/46 U
, H05K7/20 C
5E322AA11
, 5E322AB07
, 5E322AB11
, 5E322EA11
, 5E322FA04
, 5E338AA03
, 5E338BB05
, 5E338BB63
, 5E338BB75
, 5E338CC08
, 5E338CD03
, 5E338CD32
, 5E338EE02
, 5E338EE03
, 5E346AA06
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA32
, 5E346AA35
, 5E346AA43
, 5E346AA51
, 5E346BB01
, 5E346BB11
, 5E346BB16
, 5E346BB20
, 5E346FF45
, 5E346GG28
, 5E346HH17
, 5F036AA01
, 5F036BB21
, 5F036BC33
