特許
J-GLOBAL ID：200903076115325460

半導体発光装置

発明者：
安田 正治

安田 正治 について

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高倉 信之

高倉 信之 について

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葛原 一功

葛原 一功 について

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明田 孝典

明田 孝典 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (2件)： 小谷 悦司 ,  植木 久一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-149446
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356213
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】発光の際に発生する熱による半導体発光素子の劣化を抑制でき、また、該素子から放射された光をより有効に活用し得ると共に、低コスト化と小型化を達成し得る半導体発光装置を提供する。【解決手段】内面が擂鉢状の凹部を有する支持基板の該凹部底面上に、GaN系半導体を構成要素に含む半導体発光素子を有する半導体発光装置であって、前記支持基板はシリコン基板であることを特徴とする半導体発光装置である。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
内面が擂鉢状の凹部を有する支持基板の該凹部の底面上に、GaN系半導体を構成要素に含む半導体発光素子を有する半導体発光装置であって、 前記支持基板はシリコン基板であることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (12件)：
5F041AA03 ,  5F041AA33 ,  5F041AA43 ,  5F041AA47 ,  5F041CA14 ,  5F041CA40 ,  5F041DA03 ,  5F041DA12 ,  5F041DA32 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F041DA43
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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