特許

J-GLOBAL ID：200903076122654976

磁性材料及びそれを用いた磁気抵抗素子

発明者： 久保田 均 ,  福島 章雄 ,  薬師寺 啓 ,  長浜 太郎 ,  湯浅 新治 ,  安藤 功兒 ,  大兼 幹彦 ,  渡邉 美穂 ,  安藤 康夫 ,  宮崎 照宣
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (4件)： 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  渡辺 敏章 ,  今村 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-232843
公開番号（公開出願番号）：特開2009-065040
出願日： 2007年09月07日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：

【課題】低い磁化および低いダンピング定数を合わせ持つ磁性材料を提供する。【解決手段】Co-Fe-B合金に元素X(CrまたはV)を添加した(Co-Fe)aXbBc (CoとFeの組成比は任意でa=45-80%、b=5-25%、c=15-30%)の組成を持つ磁性材料である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Co-Fe-B合金に元素X(Xは、CrまたはV)を添加した(Co-Fe)aXbBc (CoとFeの組成比は任意で、a=45〜80%、b=5〜25%、c=15〜30%)の組成を持つことを特徴とする磁性材料。

IPC (5件)：

H01F 10/16 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 1/14

FI (4件)：

H01F10/16 ,  H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01F1/14 Z

Fターム (37件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD09 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ09 ,  5E041AA14 ,  5E041AA19 ,  5E041CA10 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12 ,  5E049EB06 ,  5E049GC01 ,  5F092AA02 ,  5F092AA20 ,  5F092AB01 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092CA02 ,  5F092CA26

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第5695864号明細書
  
• 磁気抵抗効果素子とその製造方法、および磁気メモリ装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-320923   出願人：ソニー株式会社
• 磁気抵抗効果素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-259280   出願人：キヤノンアネルバ株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-387331   出願人：ソニー株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (1件)

• 磁気抵抗効果素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-259280   出願人：キヤノンアネルバ株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 強磁性共鳴を用いた(CoFeB)100-xCrx薄膜の磁気緩和定数の測定