特許
J-GLOBAL ID：200903039486016891

磁気抵抗効果素子とその製造方法、および磁気メモリ装置とその製造方法

発明者：
屋上 公二郎

屋上 公二郎 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-320923
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093488
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】スピン注入磁化反転における反転電流密度を10MA/cm2以下に低減することにより、TMR膜を用いたメモリ素子を絶縁破壊することなく、素子選択用FETをブレークダウンすることなく、ランダムアクセス磁気メモリにおけるスピン注入磁化反転を可能にする。【解決手段】磁気抵抗効果素子の記憶層は、飽和磁化の値が400kA/m〜800kA/mの磁性膜からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子であり、例えば、記憶層は、コバルト、鉄、ニッケルのうち1種以上の磁性元素を含む磁性膜からなり、この磁性膜は非磁性元素も含み、非磁性元素は5at%以上50at%以下の割合で含まれるものであり、上記記憶層を備えたメモリセルは200nmφのオーダー以下の大きさのものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果素子の記憶層は、飽和磁化の値が400kA/m〜800kA/mの磁性膜からなる ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (6件)：
H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L43/12
FI (7件)：
H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 112 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447
Fターム (12件)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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