特許
J-GLOBAL ID：200903076161515711
ヒ化ガリウムウエーハのレーザー加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-282332
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103383
出願日： 2006年10月17日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：
【課題】ヒ化ガリウム(GaAs)ウエーハをストリートに沿って切断する際に、レーザー光線の照射により発生するデブリを切断面に付着させることで抗折強度の向上を図ることができるヒ化ガリウムウエーハのレーザー加工方法を提供する。【解決手段】ヒ化ガリウムウエーハ20の表面に格子状に形成されたストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエハをストリートに沿って切断するヒ化ガリウムウエーハのレーザー加工方法であって、ヒ化ガリウム基板の裏面を保護部材Tに貼着するウエーハ支持工程と、ヒ化ガリウム基板の表面にデブリ遮蔽膜300を被覆するデブリ遮蔽膜被覆工程と、ヒ化ガリウム基板にデブリ遮蔽膜側からストリートに沿ってレーザー光線を照射し裏面に達しないレーザー加工溝23を形成するレーザー加工溝形成工程と、ヒ化ガリウム基板にレーザー加工溝に沿ってレーザー光線を照射し裏面に達する切断溝25を形成する切断工程とを含む。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
ヒ化ガリウム基板の表面に格子状に形成されたストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたヒ化ガリウムウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ヒ化ガリウムウエーハをストリートに沿って切断するヒ化ガリウムウエーハのレーザー加工方法であって、
ヒ化ガリウム基板の裏面を保護部材に貼着するウエーハ支持工程と、
保護部材に貼着されたヒ化ガリウム基板の表面にデブリ遮蔽膜を被覆するデブリ遮蔽膜被覆工程と、
表面に該デブリ遮蔽膜が被覆されたヒ化ガリウム基板に該デブリ遮蔽膜側からストリートに沿ってヒ化ガリウム基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し、ストリートに沿って裏面に達しないレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、
該レーザー加工溝が形成されたヒ化ガリウム基板に該レーザー加工溝に沿ってヒ化ガリウム基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し、該レーザー加工溝に沿って裏面に達する切断溝を形成する切断工程と、を含む、
ことを特徴とするヒ化ガリウムウエーハのレーザー加工方法。
IPC (5件)：
H01L 21/301
, B23K 26/38
, B23K 26/40
, B23K 26/16
, B28D 5/00
H01L21/78 Q
, H01L21/78 B
, B23K26/38 320
, B23K26/40
, B23K26/16
, B28D5/00 Z
3C069AA01
, 3C069BA08
, 3C069BB01
, 3C069BB04
, 3C069CB01
, 3C069DA05
, 3C069DA07
, 3C069EA04
, 3C069EA05
, 4E068AE01
, 4E068CG05
, 4E068DA10
, 4E068DB11
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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