特許
J-GLOBAL ID：200903076252132424
半導体スピンデバイス及びスピンFET
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 三上 敬史
, 石坂 泰紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-041962
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200351
出願日： 2008年02月22日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：
【課題】 MR比を高めることが可能な半導体スピンデバイス、及び、特に、ソースとドレインとの間のMR比を向上させることが可能なスピンFETを提供する。【解決手段】 スピンMOSFETにおけるソース側の界面抵抗とドレイン側の界面抵抗の値は本来異なっているが、この界面におけるトンネル障壁層の厚みを調整することにより、これらを略一致させる。これにより、スピンMOSFETにおける電気的な対称性が確保され、この場合の条件を解析すると、MR比が高くなることが見出された。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
固定層からなる第1電極と、
フリー層からなる第2電極と、
前記第1及び第2電極が設けられた半導体領域と、
を備え、
前記第1電極と前記半導体領域との間に介在する第1トンネル障壁層の厚みdSと、前記第2電極と前記半導体領域との間に介在する第2トンネル障壁層の厚みdDは、以下の関係式:
dS<dD
を満たすことを特徴とする半導体スピンデバイス。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F092AA02
, 5F092AC24
, 5F092BD03
, 5F092BD05
, 5F092BD06
, 5F092BD13
, 5F092BD14
, 5F092BD15
, 5F092BD20
, 5F092BD23
