特許
J-GLOBAL ID：200903082023992525

半導体接点を備える半導体素子

発明者：
モーレンカムプ, ラウレンス

モーレンカムプ, ラウレンス について

, 
シュミット, ゲオルク

シュミット, ゲオルク について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-573700
公開番号（公開出願番号）：特表2004-531881
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
本発明は、第1の接点1および第2の接点3、ならびに非磁性半導体の層も備える磁気抵抗半導体素子に関する。非磁性半導体の層は、第1の接点と第2の接点との間に構成され、ここで、第1の接点1は、半磁性体を含む。半磁性体として用いられるのは、強度に常磁性の材料であり、この材料の電子スピンは、外部磁界の作用がない場合は選好する方向を有しない。外部磁界の作用下にて、電子は、第1の接点1にてスピン偏極される。その結果、電圧が印加されると、スピン偏極された電子は、非磁性半導体2に注入される。その結果、非磁性半導体において、電荷キャリアをトランスポートするために、スピンチャネルのうちの1つのみが用いられ得、従って、正の磁気抵抗効果が得られる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の接点(1)および第2の接点(3)、さらに、非磁性半導体の層(2)を備え、該層は、該第1の接点(1)と該第2の接点(3)との間に設けられ、該第1の接点(1)は、半磁性材料から形成される、磁気抵抗半導体素子。
IPC (9件)：
H01L29/82 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01L21/331 ,  H01L27/105 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10
FI (9件)：
H01L29/82 Z ,  G11B5/39 ,  H01L43/08 S ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  G01R33/06 R ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/78 301J ,  H01L29/72 Z
Fターム (18件)：
2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5D034BA03 ,  5D034BA08 ,  5F003BA92 ,  5F003BB90 ,  5F003BC90 ,  5F003BE90 ,  5F003BN00 ,  5F083FZ10 ,  5F140AC16 ,  5F140BA01 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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