特許
J-GLOBAL ID:200903088255482351

スピンFET及びスピンメモリ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-009266
公開番号(公開出願番号):特開2007-194300
出願日: 2006年01月17日
公開日(公表日): 2007年08月02日
要約:
【課題】スピンFET/スピンメモリの低消費電力と高信頼性を実現する。【解決手段】本発明の例に関わるスピンFETは、磁化方向が固定される磁気固着層12と、磁化方向が変化する磁気フリー層13と、磁気固着層12と磁気フリー層13との間のチャネルと、チャネル上にゲート絶縁層18を介して配置されるゲート電極19と、磁気フリー層13上に配置され、電場により磁化方向が変化する磁性層15とを備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
磁化方向が固定される磁気固着層と、磁化方向が変化する磁気フリー層と、前記磁気固着層と前記磁気フリー層との間のチャネルと、前記チャネル上にゲート絶縁層を介して配置されるゲート電極と、前記磁気フリー層上に配置され、電場により磁化方向が変化する磁性層とを具備することを特徴とするスピンFET。
IPC (14件):
H01L 29/82 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/78 ,  H01F 10/14
FI (11件):
H01L29/82 Z ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/66 M ,  H01L29/80 B ,  H01L27/08 321A ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/78 301J ,  H01F10/14
Fターム (74件):
4M119AA01 ,  4M119BB01 ,  4M119BB13 ,  4M119CC05 ,  4M119CC09 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119EE33 ,  4M119EE40 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049BA23 ,  5E049CB01 ,  5F048AB01 ,  5F048AC09 ,  5F048BB09 ,  5F048BC01 ,  5F048BC05 ,  5F048BD06 ,  5F048BG13 ,  5F092AA04 ,  5F092AA06 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AC24 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD24 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB18 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB51 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BD03 ,  5F092BD04 ,  5F092BD05 ,  5F092BD06 ,  5F092BD07 ,  5F092BD15 ,  5F092BD23 ,  5F092BE21 ,  5F092EA06 ,  5F102FB05 ,  5F102FB10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01 ,  5F102GL10 ,  5F102GR09 ,  5F102GT03 ,  5F102GT10 ,  5F140AA02 ,  5F140AC00 ,  5F140BH27
引用特許:
審査官引用 (6件)
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