特許
J-GLOBAL ID：200903076339858308

半導体装置

発明者：
岡田 勇一

岡田 勇一 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-160020
公開番号（公開出願番号）：特開2009-224751
出願日： 2008年06月19日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：
【課題】 高い放熱性を維持しつつ、装置の小型および薄膜化、回路基板への実装等において、高い自由度を備えることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体素子と、その半導体素子を配置するパッケージ10と、を備えた半導体装置であって、上記パッケージ10は、上記半導体素子に接続される導体配線の下に熱伝導性部材12を有しており、その熱伝導性部材12は、上記半導体素子の下に配置されており、上記パッケージ10を構成する絶縁性部材の内部に埋設されていることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子と、その半導体素子を収容する凹部を有するパッケージと、を備え、前記パッケージを構成する絶縁性部材の内部に熱伝導性部材が埋設された半導体装置であって、 前記凹部の側壁は、前記凹部を形成する最も外側の側壁と前記凹部の底面に設けられた半導体素子の搭載部との間に段差部を有しており、 前記熱伝導性部材は、前記搭載部の下から前記段差部の下まで延長されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 23/12
FI (1件)：
H01L23/12 J
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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