特許
J-GLOBAL ID：200903076373182429

配線の形成方法

発明者：
宮本 ツトム

宮本 ツトム について


出願人/特許権者：
カシオ計算機株式会社

カシオ計算機株式会社 について


代理人 (1件)： 長南 満輝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-032083
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214318
出願日： 2006年02月09日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：
【課題】 CSPと呼ばれる半導体装置において、電解メッキにより配線を形成する際に用いるフォトレジスト膜をポジ型化学増幅型のものによって形成するとき、解像不良が発生しないようにする。【解決手段】 最上層に銅層を有するメッキ電流路としての下地金属層7の上面にアルミニウムからなるバリア層22を成膜する。次に、バリア層22の上面にポジ型化学増幅型のフォトレジスト膜23を形成する。次に、配線形成領域に対応する部分に開口部25を有する露光マスク24を用いて紫外線を照射すると、配線形成領域に対応する部分におけるフォトレジスト膜23中の光酸発生剤からパターン形成に必要な触媒としての酸が発生する。この場合、フォトレジスト膜23で発生した酸はバリア層22によって阻止されて下地金属層7の最上層の銅層中に侵入することがなく、したがってこの銅層とフォトレジスト膜23との界面において酸が中和されることがなく、この酸中和に起因する解像不良が発生しないようにすることができる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板上全面に最上層に銅層を有する下地金属層を形成する工程と、 前記下地金属層上にバリア層を形成する工程と、 前記バリア層上に開口部を有するポジ型化学増幅型のフォトレジスト膜を形成し、且つ、前記フォトレジスト膜の開口部に対応する部分における前記バリア層を除去して前記フォトレジスト膜の開口部に対応する部分における前記下地金属層を露出させる工程と、 前記下地金属層をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行うことにより、前記フォトレジスト膜の開口部内の前記下地金属層上に配線を形成する工程と、 前記フォトレジスト膜及び前記バリア層を除去する工程と、 前記配線下以外の領域における前記下地金属層を除去する工程と、 を有することを特徴とする配線の形成方法。
IPC (7件)：
H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/40
FI (7件)：
H01L21/88 B ,  H01L21/88 M ,  H01L21/30 573 ,  G03F7/095 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/022 ,  G03F7/40 521
Fターム (47件)：
2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE01 ,  2H025BG00 ,  2H025DA13 ,  2H025FA17 ,  2H025FA43 ,  2H025FA47 ,  2H096AA25 ,  2H096BA10 ,  2H096BA11 ,  2H096CA05 ,  2H096EA02 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA27 ,  2H096JA03 ,  2H096JA04 ,  2H096KA03 ,  2H096KA06 ,  2H096LA01 ,  5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK08 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ27 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033XX00 ,  5F033XX28 ,  5F046NA05 ,  5F046NA19
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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