特許
J-GLOBAL ID：200903066507681502

厚膜ホトレジスト層積層体、厚膜レジストパターンの製造方法、および接続端子の製造方法

発明者：
斉藤 宏二

斉藤 宏二 について

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鷲尾 泰史

鷲尾 泰史 について

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奥井 俊樹

奥井 俊樹 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 棚井 澄雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-338474
公開番号（公開出願番号）：特開2003-140347
出願日： 2001年11月02日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
要約：
【要約】【課題】 接続端子などの製造に用いられる厚膜ホトレジスト層において、レジスト組成物が高感度で反応し、高精度のレジストパターンを形成することができる手段を提供する。【解決手段】 (a)支持体と、(b)アルカリ溶解性が酸の作用によって変化する樹脂および酸発生剤を含む厚膜ホトレジスト層とが、該(a)支持体と該(b)厚膜ホトレジスト層との接触を妨げる(c)遮蔽層を介して積層されていることを特徴とする厚膜ホトレジスト層積層体を用いてレジストパターンを形成し、これを用いて接続端子を形成する。
請求項（抜粋）：
(a)支持体と、(b)アルカリ溶解性が酸の作用によって変化する樹脂および酸発生剤を含む厚膜ホトレジスト層とが、該(a)支持体と該(b)厚膜ホトレジスト層との接触を妨げる(c)遮蔽層を介して積層されていることを特徴とする厚膜ホトレジスト層積層体。
IPC (5件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/18
FI (5件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/11 503 ,  H05K 3/00 F ,  H05K 3/18 D ,  H01L 21/30 563
Fターム (24件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025FA39 ,  5E343AA15 ,  5E343AA22 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB28 ,  5E343BB38 ,  5E343BB44 ,  5E343BB52 ,  5E343CC63 ,  5E343DD21 ,  5F046AA02 ,  5F046HA07
引用特許：
審査官引用 (10件)
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