特許

J-GLOBAL ID：200903076386852377

誘電体磁器組成物

発明者： 渋谷 正和 ,  阿部 昌昭 ,  小野 博幸
出願人/特許権者： 東光株式会社 ,  富士チタン工業株式会社
代理人 (1件)： 大田 優
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-033213
公開番号（公開出願番号）：特開2000-231829
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 高いQを維持したまま温度係数を小さくできる誘電体磁器組成物を提供する。【解決手段】 MgOとして61.5mol%以上65.0mol%以下、SiO2として30.5mol%以上32.5mol%以下、Al2O3として0.1mol%以上2.0mol%以下、SrOとして1.0mol%以上3.0mol%以下、ZrO2として1.0mol%以上3.0mol%以下となる材料組成とする。1150°C以上で仮焼すればQが高くなる。

請求項（抜粋）：

MgOとして61.5mol%以上65.0mol%以下、SiO2として30.5mol%以上32.5mol%以下、Al2O3として0.1mol%以上2.0mol%以下、SrOとして1.0mol%以上3.0mol%以下、ZrO2として1.0mol%以上3.0mol%以下(ただしMgO+SiO2+Al2O3+SrO+ZrO2=100mol%)を含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。

IPC (3件)：

H01B 3/12 333 ,  C04B 35/495 ,  C04B 35/16

FI (3件)：

H01B 3/12 333 ,  C04B 35/00 J ,  C04B 35/16 Z

Fターム (19件)：

4G030AA07 ,  4G030AA09 ,  4G030AA17 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA09 ,  5G303AA02 ,  5G303AA05 ,  5G303AA10 ,  5G303AB06 ,  5G303AB08 ,  5G303AB11 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB01 ,  5G303CB17 ,  5G303CB30 ,  5G303CB32 ,  5G303CB39

引用特許：

審査官引用 (3件)

• フォルステライト磁器の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-092209   出願人：財団法人ファインセラミックスセンター
• MgO-SiO2 系磁器及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-155559   出願人：財団法人ファインセラミックスセンター, アイシン精機株式会社, 日本特殊陶業株式会社
• 高周波用誘電体磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-142693   出願人：株式会社村田製作所