特許
J-GLOBAL ID：200903076443678931

半導体装置における拡散障壁層の形成方法、半導体装置

発明者：
シー-チュン ソン

シー-チュン ソン について


出願人/特許権者：
プロモス テクノロジーズ インコーポレイテッド

プロモス テクノロジーズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-063102
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273348
出願日： 2002年03月08日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 ドーピングされた硼素がゲート電極からチャネル領域へ拡散することを防止する方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】 ゲート電極層と高誘電係数のゲート誘電層の間に、テトラクロロシランとアンモニアとの化学反応で、ゲート電極層内不純物の拡散を阻止するための窒化シリコン障壁層を形成する。
請求項（抜粋）：
基板に高誘電係数のゲート誘電層を形成する段階と、前記ゲート誘電層に、CVD法を利用し且つテトラクロロシランとアンモニアとの化学反応で、後続に形成されるゲート電極層内不純物の拡散を阻止するための窒化シリコン障壁層を形成する段階とからなる半導体装置における拡散障壁層の形成方法。
IPC (6件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (4件)：
H01L 21/318 M ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/58 G
Fターム (46件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BE03 ,  5F048BG14 ,  5F058BA05 ,  5F058BD02 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA28 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG43 ,  5F140BG44 ,  5F140BG56 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB08 ,  5F140CF07
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM