特許

J-GLOBAL ID：200903076453317325

電子装置の製造方法

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-361144
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183052
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 有機誘電体膜を層間絶縁膜として採用する高集積度半導体装置等の電子装置における、密着性の問題を解決する。【解決手段】 有機誘電体膜12を形成する被処理基体10表面を逆スパッタリングして、ダングリングボンドを形成する。また被処理基体10表面に、化学量論組成よりSiリッチな無機誘電体膜11aを形成しておき、この上に有機誘電体膜12を形成する。

請求項（抜粋）：

被処理基体上に有機誘電体膜を形成する工程を有する電子装置の製造方法であって、前記被処理基体を逆スパッタリングして、該被処理基体表面にダングリングボンドを形成する工程と、前記ダングリングボンドが形成された被処理基体上に、有機誘電体膜を形成する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/312 N ,  H01L 21/90 S

Fターム (43件)：

5F033QQ09 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR20 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033XX12 ,  5F058AA08 ,  5F058AC02 ,  5F058AE10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02 ,  5F058BA10 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD19 ,  5F058BE10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF09 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF25 ,  5F058BF26 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 多孔質誘電体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-247556   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-033872   出願人：山形日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-297614   出願人：東京エレクトロン株式会社