特許
J-GLOBAL ID：200903038990824110

半導体装置及びその製造方法

発明者：
遠藤 俊一

遠藤 俊一 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-297614
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114252
出願日： 1998年10月05日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 ケイ素を含む絶縁膜や金属配線層とフッ素添加カ-ボン膜との間に密着層を設けることにより、両者の間の密着性を高めること。【解決手段】 SiC膜の成膜ガス例えばSiH4 ガスとC2 H4 ガスとをプラズマ化してSiO2 110の上面に密着層であるSiC膜200を形成する。次いでSiH4 ガスとC2 H4 ガスとC4 F8 ガスとC2 H4 ガスとを導入して成膜ガスの切換え工程を1秒程度行う。続いてCF膜の成膜ガス例えばC4 F8 ガスとC2 H4 ガスとをプラズマ化してSiC膜200の上面にCF膜120を形成する。このようにすると成膜ガスの切換え工程ではSiC膜とCF膜の両方の成膜ガスが存在するので、SiC膜200とCF膜120との境界付近に両方の膜に跨がってSiとCの結合ができてこれらの膜の間の密着性が高められ、結果としてSiO2 膜110とCF膜120との間の密着性が高められる。
請求項（抜粋）：
フッ素添加カ-ボン膜よりなる第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の一面側に設けられたケイ素を含む第2の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との間の剥離を抑えるために、これらの膜の間に設けられた密着層と、を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 21/314 A ,  H01L 21/314 M ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/90 K
Fターム (46件)：
5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR20 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033SS19 ,  5F033TT02 ,  5F033XX12 ,  5F045AA10 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB17 ,  5F045DC53 ,  5F045DP04 ,  5F045EH03 ,  5F045EH17 ,  5F045HA22 ,  5F058BA10 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD12 ,  5F058BD18 ,  5F058BF09 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF25 ,  5F058BF26 ,  5F058BF29 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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