マイクロ波を利用したプラズマ発生装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池寛治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-093874
公開番号（公開出願番号）：特開平11-273895
出願日： 1998年03月24日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】マイクロ波プラズマを利用して物体を加工処理するプラズマ発生装置、例えば、物体面にダイヤモンドを化学気相成長させて物体をコ-テングしたり、物体をスパッタリングし、エッチングし、または、物体をシンタリングするためのプラズマ発生装置を計算式による算出値にもとづいて装置設計すること。【解決手段】供給したガス(H2CH4)をプラズマ25によって加熱し、プラズマ化ガスによって物体28にダイヤモンドを化学気相成長させるプラズマ発生装置において、物体28に成長するダイヤモンドの厚み成長速度H(r)、プラズマ25の中心部から物体28面上までの距離rとし、H(r)=K・(1/r2)の計算式による算出値から、ダイヤモンドの厚み成長速度H(r)、または、物体28の距離rを定める構成となっている。ただし、Kは真空度P、ガス流量L、マイクロ波出力Eなどから定まる比例係数である。

請求項（抜粋）：

真空室に供給したガスをマイクロ波プラズマによって加熱し、プラズマ化ガスによって物体を加工処理するマイクロ波を利用したプラズマ発生装置において、プラズマの中心部から物体面までの距離r、または、物体の加工処理速度H(r)を、H(r)=K・(1/r2)K: 真空度、ガス流量、マイクロ波出力等によって決まる比例係数の条件式にしたがって定めて構成したことを特徴とするマイクロ波を利用したプラズマ発生装置。

IPC (6件)：

H05H 1/46 , C23C 16/26 , C23C 16/50 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (6件)：

H05H 1/46 B , C23C 16/26 , C23C 16/50 , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

マイクロ波プラズマを利用したダイヤモンド成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-146492 出願人：ミクロ電子株式会社
半導体装置の製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-210370 出願人：株式会社リコー
特表平4-507266

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