特許

J-GLOBAL ID：200903076523838654

半導体装置およびその製造方法

発明者： 藤原 剛 ,  今井 俊則 ,  武田 健一 ,  島本 裕己
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (2件)： 井上 学 ,  戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-151225
公開番号（公開出願番号）：特開2009-302082
出願日： 2008年06月10日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：

【解決手段】 本発明による半導体装置は、メタル抵抗素子の下面に形成された下面酸化防止絶縁膜と、上面に形成された上面酸化防止絶縁膜と、下面酸化防止絶縁膜及び上面酸化防止絶縁膜とは別工程で、ウェハ全面に堆積した後に異方性エッチングを施しメタル抵抗素子の側面近傍にのみ形成された側面酸化防止絶縁膜とを有する。【効果】 本発明によれば、メタル抵抗素子が酸化されて抵抗値が上昇するのを防止することができると同時に、加工プロセスを複雑にすることなく金属配線層間の寄生容量の増大を防止することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の上方に形成された第1金属配線層と、 前記第1金属配線層上に形成された第一層間絶縁膜と、 前記第1層間絶縁膜上に形成された下面酸化防止絶縁膜と、 前記下面酸化防止絶縁膜上に形成されたメタル抵抗素子膜と、 前記メタル抵抗素子膜上に形成された上面酸化防止絶縁膜と、 前記メタル抵抗素子膜の側面近傍にのみ形成された側面酸化防止絶縁膜と、 前記下面酸化防止絶縁膜,前記メタル抵抗素子膜,前記上面酸化防止絶縁膜及び前記側面酸化防止絶縁膜からなる構造体を覆い、前記第1層間絶縁膜上に形成された第2層間絶縁膜と、 前記第2層間絶縁膜上に形成された第2金属配線層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (2件)：

H01L27/04 P ,  H01L21/88 Z

Fターム (57件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ25 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK08 ,  5F033KK18 ,  5F033KK25 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN17 ,  5F033NN40 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT08 ,  5F033VV09 ,  5F033XX20 ,  5F033XX24 ,  5F038AR07 ,  5F038AR08 ,  5F038AR13 ,  5F038AR17 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-098802   出願人：ソニー株式会社
• 抵抗素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-165542   出願人：アルプス電気株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-148807   出願人：株式会社リコー
• 抵抗素子、及び、同抵抗素子を備えた半導体装置、及び同半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-015086   出願人：ソニー株式会社