特許
J-GLOBAL ID：200903059367039892

半導体装置及びその製造方法

発明者：
橋本 泰典

橋本 泰典 について

, 
山下 公彦

山下 公彦 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-148807
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356159
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】金属薄膜からなる抵抗体について、レジストの酸素アッシングによる表面の酸化を防止して安定した抵抗値を得る。【解決手段】下地絶縁膜3上に金属薄膜5を形成し(a)、金属薄膜5上にシリコン窒化膜7とシリコン酸化膜9を順に積層し、シリコン酸化膜9上に抵抗体の形成領域を画定するためのホトレジストパターン11を形成し、ホトレジストパターン11をマスクにしてシリコン酸化膜9を選択的に除去してシリコン酸化膜パターン9aを形成し(b)、ホトレジストパターン11を酸素プラズマによるアッシングにて除去し(c)、シリコン酸化膜パターン9aをマスクにしてシリコン窒化膜7及び金属薄膜5を選択的に除去してシリコン窒化膜パターン7a、及び抵抗体となる金属薄膜パターン5aを形成し(d)、金属薄膜パターン5a側面の酸化防止用の第2シリコン窒化膜13を形成する(e)。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
金属薄膜からなる抵抗体を備えた半導体装置おいて、 前記抵抗体の上面を覆うシリコン窒化膜を備え、前記抵抗体の上面と前記シリコン窒化膜の間には実質的に金属酸化膜は形成されていないことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L21/3065 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04
FI (5件)：
H01L21/302 105A ,  H01L21/318 B ,  H01L21/88 D ,  H01L27/04 P ,  H01L21/90 A
Fターム (68件)：
5F004AA04 ,  5F004BA04 ,  5F004CB18 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB15 ,  5F004DB26 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA13 ,  5F004EA23 ,  5F004EA27 ,  5F033HH05 ,  5F033HH07 ,  5F033HH17 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH35 ,  5F033MM15 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR14 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV09 ,  5F033XX00 ,  5F033XX20 ,  5F033XX33 ,  5F038AR08 ,  5F038AR13 ,  5F038AR21 ,  5F038AV15 ,  5F038BB04 ,  5F038BB05 ,  5F038BB07 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BF07 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36
引用特許：
審査官引用 (8件)
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