特許
J-GLOBAL ID：200903076558071003
III族窒化物系化合物半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-322541
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093578
出願日： 2003年09月16日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】III族窒化物系化合物半導体素子の静電耐圧を向上させる。【解決手段】III族窒化物系化合物半導体素子100のアクセプタ不純物の添加されたp-AlGaN層107とp-GaN層109の間に中間層108を設ける。このとき、p-AlGaN層107を形成する際に用いられたアクセプタ不純物の、中間層108への混入によるホール発生を補償する濃度にドナー不純物を添加する。中間層108は極めて伝導度の低い層となり、III族窒化物系化合物半導体素子100の静電耐圧が著しく向上する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
アクセプタ不純物の添加された第1のp層と第2のp層とを有するIII族窒化物系化合物半導体素子において、
前記第1のp層と前記第2のp層との間に中間層を有し、
前記中間層は、製造工程で混入されるアクセプタ不純物によるホール発生を略補償する濃度に、ドナー不純物が添加されていることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F041AA21
, 5F041AA43
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA58
, 5F041CA83
, 5F041CA92
, 5F041CB15
出願人引用 (1件)
-
窒化物半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-286728
出願人：日亜化学工業株式会社
審査官引用 (5件)
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