特許
J-GLOBAL ID：200903020206903526
窒化ガリウム系化合物半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-188523
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031866
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】窒化ガリウム系化合物半導体レーザにおいて実効的なp型キャリアを増加させる。【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体レーザは、サファイア基板10上に形成されたダブルヘテロ接合構造13、14、15を有する。ダブルヘテロ接合構造の上には、Mgドープ低抵抗GaNのp-低抵抗層16、高抵抗またはn型の電流ブロック層17、MgドープGaNのp-変調層32、及びMgドープ低抵抗GaNのp-コンタク層18が順に積層される。p-変調層32において、Mg濃度の高い複数の低抵抗領域とMg濃度の低い複数の高抵抗領域とが、上下方向に交互に積重ねられ、p型キャリアを増加させるための発熱構造が形成される。
請求項（抜粋）：
pn接合を形成するように積層され、下記の組成式で表される材料から基本的になる複数の層を有する積層膜と、Inx Gay Alz N、ここでx+y+z=1、0≦x,y,z≦1前記pn接合に電流を供給するように前記積層膜に接続されたn側電極及びp側電極と、相対的に低抵抗の低抵抗部分と相対的に高抵抗の高抵抗部分とが隣接するように、前記積層膜内に形成された発熱構造と、前記低抵抗部分は前記高抵抗部分よりも前記p側電極に近い側に配設されることと、を具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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