プラズマ処理装置

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：和泉良彦 , 小林茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-366842
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200390
出願日： 2002年12月18日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】大面積基板を処理することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】矩形導波管1と、矩形導波管1に設けられ、導波管アンテナを構成する複数のスロット2と、真空容器5とを具備し、スロット2から真空容器5内に放射された電磁波によってプラズマを生成し、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、矩形導波管1を真空容器5内に設け、矩形導波管1内に設けた誘電体部材4により真空が保持され、誘電体部材4を通して電磁波を真空容器5内に導入するようになっている構成。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導波管と、前記導波管に設けられ、導波管アンテナを構成する複数のスロットと、真空容器とを具備し、前記スロットから前記真空容器内に放射された電磁波によってプラズマを生成し、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、前記導波管を前記真空容器内に設け、前記導波管内に設けた誘電体部材により真空が保持され、前記誘電体部材を通して前記電磁波を前記真空容器内に導入することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L21/205 , B01J3/00 , B01J19/08 , C23C16/44 , H01L21/3065 , H05H1/46

FI (7件)：

H01L21/205 , B01J3/00 J , B01J19/08 E , B01J19/08 H , C23C16/44 B , H05H1/46 B , H01L21/302 101D

Fターム (27件)：

4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075AA62 , 4G075BA06 , 4G075BC04 , 4G075BC06 , 4G075BD14 , 4G075CA03 , 4G075CA47 , 4G075EB43 , 4K030KA10 , 4K030KA28 , 4K030KA30 , 4K030KA32 , 4K030KA34 , 4K030KA46 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB32 , 5F045AA09 , 5F045AA20 , 5F045CA15 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EC01 , 5F045EH02 , 5F045EH03

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-153357 出願人：東京エレクトロン株式会社, 後藤尚久, 安藤真, 高田潤一, 堀池靖浩
薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-245846 出願人：住友金属工業株式会社
プラズマプロセス装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-347550 出願人：シャープ株式会社, 大見忠弘

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