プラズマプロセス装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：深見久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-347550
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168083
出願日： 1999年12月07日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】大面積の基板を均一なプラズマを用いて均一に処理可能な、低コストのプラズマプロセス装置を提供する。【解決手段】本発明のプラズマプロセス装置は、チャンバ内部12へプラズマを放射するための誘電体板5と、誘電体板5を支持するための誘電体板支持部材6A〜6Dとを有している。誘電体板支持部材6A〜6Cには、チャンバ内部12に反応ガスを供給するための複数のガス導入孔6aが設けられている。このガス導入孔6aの吹出口は、基板8の表面の対面側に開口され、かつ誘電体板5の外周領域に配置されている。またチャンバ蓋1および誘電体板支持部材6A〜6Dは接地電位が印加され、基板8にはバイアス電位が印加される。

請求項（抜粋）：

マイクロ波によりプラズマ状態にされた反応ガスを用いて基板表面にプラズマプロセスを行なうプラズマプロセス装置であって、前記基板を内部に支持可能な処理室と、マイクロ波を伝送するためのマイクロ波伝送手段と、前記基板表面に対面する主表面を有し、かつ前記マイクロ波伝送手段により伝送されたマイクロ波を前記主表面から前記処理室内に放射する複数の誘電体板と、前記処理室に反応ガスを供給するための複数の反応ガス供給路とを備え、複数の前記反応ガス供給路の各々は、前記基板表面の対面側に開口された反応ガスの吹出口を有し、かつ複数の前記吹出口は前記誘電体板の前記主表面端縁より外周領域に配置されており、前記処理室には接地電位が印加され、かつ前記基板にはバイアス電圧が印加される構成を有する、プラズマプロセス装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/511 , C23F 4/00 , H01L 21/31

FI (4件)：

C23C 16/511 , C23F 4/00 D , H01L 21/31 C , H01L 21/302 B

Fターム (41件)：

4K030EA01 , 4K030EA06 , 4K030FA01 , 4K030KA08 , 4K030KA20 , 4K030KA30 , 4K030KA46 , 4K057DA11 , 4K057DA16 , 4K057DD03 , 4K057DD07 , 4K057DD08 , 4K057DK03 , 4K057DM03 , 4K057DM06 , 4K057DM09 , 4K057DM29 , 4K057DM37 , 4K057DN01 , 5F004AA01 , 5F004BA20 , 5F004BB12 , 5F004BB13 , 5F004BB14 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BD01 , 5F004BD04 , 5F004CA06 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F045AA09 , 5F045BB01 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EF05 , 5F045EF08 , 5F045EH03 , 5F045EH20

引用特許：

審査官引用 (7件)

プラズマプロセス装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-201516 出願人：株式会社東芝
マイクロ波プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-132032 出願人：日本電気株式会社, 住友金属工業株式会社
プラズマ処理方法及びプロセスプラズマ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-149166 出願人：株式会社東芝

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